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    INC6007AP1 参数 Datasheet PDF下载

    INC6007AP1图片预览
    型号： INC6007AP1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低频AMPLIFY应用硅NPN外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 120 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号INC6007AP1的Datasheet PDF文件第2页  
    <SMALL -SIGNAL TRANSISTOR>
    初步
    请注意：这不是最终规范
    有些参数如有更改。
    INC6007AP1
    低频AMPLIFY应用
    硅NPN外延型
    描述
    INC6007AP1是硅NPN晶体管。
    它被设计成高电压。
    外形绘图
    4.6最大
    1.6
    UNIT：½½
    1.5
    ·小包装，便于安装。
    E
    0.8分钟
    C
    0.53
    最大
    B
    ●高电压V
    首席执行官
    = 400V
    •高集电极电流
    Ic=500mA
    4.2最大
    特征
    2.5
    0.4
    0.48最大
    1.5
    应用
    的DC-DC转换器，高电压开关
    3.0
    マーキング
    记号
    端子连接器
    電極接続
    E：发射器
    Ｅ: エミッタ
    Ｃ: コレクタ
    C：收藏家
    B：基本
    Ｂ: ベース
    JEDEC ： -
    JEITA ： SC- 62
    EIAJ ：SC- 62
    JEDEC ： SOT- 89
    JEDEC ：
    最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
    符号
    V
    CBO
    V
    EBO
    V
    首席执行官
    I
    C
    参数
    集电极 - 基极电压
    发射器基极电压
    集电极到发射极电压
    集电极电流
    集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
    结温
    储存温度
    等级
    400
    5
    400
    500
    0.5
    ＋150
    -55½＋150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    W
    ℃
    ℃
    记号
    型号名称
    b k的序列
    W
    LOT №
    h
    FE
    项
    范围
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    130
    3300
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    电气特性（Ta = 25℃）
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    V
    （ BR ） CEO
    I
    CBO
    I
    EBO
    ½ＦＥ1
    ½ＦＥ2
    VCE （ SAT ）
    VBE （ SAT ）
    fT
    COB
    吨
    花花公子
    参数
    C到B击穿电压
    E至B击穿电压
    C至ê击穿电压
    收藏家切断电流
    发射器切断电流
    直流正向电流GAIN1
    直流正向电流GAIN2
    Ç到E饱和电压
    B到E饱和电压
    增益带宽积
    集电极输出电容
    启动时间
    关闭时间
    测试条件
    I
    C
    =100μA，I
    E
    =0mA
    I
    E
    =100μA，I
    C
    =0mA
    I
    C
    =10mA，R
    BE
    =∞
    V
    CB
    =320V，I
    E
    =0mA
    V
    EB
    =4V，I
    C
    =0mA
    V
    CE
    =5V，I
    C
    =1mA
    V
    CE
    =5V，I
    C
    =100mA
    I
    C
    =100mA，I
    B
    =10mA
    I
    C
    =100mA，I
    B
    =10mA
    V
    CE
    =20V，I
    E
    =-20mA
    V
    CB
    =20V，I
    E
    =0mA，f=1MHz
    V
    CC
    =100V，I
    C
    =100mA
    I
    B1
    =10mA，-I
    B2
    =20mA
    民
    400
    5
    400
    -
    -
    50
    50
    -
    -
    50
    -
    -
    -
    最大
    -
    -
    -
    100
    100
    -
    150
    0.5
    0.9
    -
    10
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    -
    -
    V
    V
    兆赫
    pF
    ns
    ns
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