INC6006AS1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	INC6006AS1
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内容描述：	低频AMPLIFY应用硅NPN外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 151 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

初步

请注意：这不是最终规范

有些参数如有更改。

INC6006AS1

低频AMPLIFY应用

硅NPN外延型

TYPICIAL特性

800

集电极耗散PC（毫瓦）

集电极耗散

VS环境温度

正向直流电流增益VS.集电极电流

1000

VCE=5V

700

正向直流电流增益hFE

85℃

25℃

600

500

400

300

200

100

150

环境温度Ta（ ℃ ）

共发射极转移

100

-40℃

0.01

0.1

100

集电极电流IC （MA ）

收藏家EMITTERSATURATION

电压与集电极电流

集电极电压EMITTERSATURATION

的Vce （ sat）的（V）的

100

VCE=5V

IC/IB=10

集电极电流IC （MA ）

85℃

25℃

85℃

25℃

-40℃

0.1

-40℃

0.01

0.5

1.5

基地发射极电压VBE （ V）

0.01

0.1

100

集电极电流IC （MA ）

共发射极输出

基地EMITTERSATURATION电压

与集电极电流

集电极电压EMITTERSATURATION

VBE （饱和）（V）的

IC/IB=10

集电极电流Ic （ mA）的

25℃

IB=300uA

IB=250uA

IB=200uA

-40℃

25℃

IB=150uA

IB=100uA

IB=50uA

85℃

IB=0uA

0.1

0.01

0.1

100

集电极发射极电压Vce （ V）

集电极电流IC （MA ）

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