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    INC6005AP1 参数 Datasheet PDF下载

    INC6005AP1图片预览
    型号： INC6005AP1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低频AMPLIFY应用硅NPN外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 143 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号INC6005AP1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号INC6005AP1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号INC6005AP1的Datasheet PDF文件第4页  
    <SMALL -SIGNAL TRANSISTOR>
    INC6005AP1
    低频AMPLIFY应用
    硅NPN外延型
    描述
    INC6005AP1是硅NPN晶体管。
    它被设计成高电压。
    外形绘图
    4.6最大
    1.6
    UNIT：½½
    1.5
    特征
    ·小包装，便于安装。
    0.8分钟
    ●高电压V
    首席执行官
    = 400V
    E
    C
    0.53
    最大
    B
    4.2最大
    2.5
    0.4
    0.48最大
    1.5
    应用
    的DC-DC转换器，高电压开关。
    3.0
    マーキング
    记号
    端子连接器
    電極接続
    E：发射器
    Ｅ: エミッタ
    Ｃ: コレクタ
    C：收藏家
    Ｂ: ベース
    B：基本
    JEDEC ： -
    JEITA ： SC- 62
    EIAJ ：SC- 62
    JEDEC ： SOT- 89
    JEDEC ：
    最大额定值
    （Ta=25℃）
    符号
    V
    CBO
    V
    EBO
    V
    首席执行官
    I
    C
    参数
    集电极 - 基极电压
    发射器基极电压
    集电极到发射极电压
    集电极电流
    集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
    结温
    储存温度
    等级
    400
    7
    400
    100
    500
    ＋150
    -55½＋150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    记号
    型号名称
    B D
    W
    LOT №
    h
    FE
    项
    范围
    民
    400
    7
    400
    -
    -
    82
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    70
    3.3
    最大
    -
    -
    -
    1
    1
    280
    0.5
    -
    -
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    电气特性
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    V
    （ BR ） CEO
    I
    CBO
    I
    EBO
    ½
    ＦＥ
    V
    CE （ SAT ）
    fT
    COB
    参数
    C到B击穿电压
    E至B击穿电压
    C至ê击穿电压
    收藏家切断电流
    发射器切断电流
    正向直流电流增益
    Ç到E饱和电压
    增益带宽积
    集电极输出电容
    （Ta=25℃）
    测试条件
    I
    C
    =50μA，I
    E
    =0mA
    I
    E
    =50μA，I
    C
    =0mA
    I
    C
    =1mA，R
    BE
    =∞
    V
    CB
    =400V，I
    E
    =0mA
    V
    EB
    =6V，I
    C
    =0mA
    V
    CE
    =10V，I
    C
    =10mA
    I
    C
    =10mA，I
    B
    =1mA
    V
    CE
    = 20V ，我
    E
    =-10mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    E
    = 0毫安， F = 1MHz的
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    -
    V
    兆赫
    pF
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