<SMALL -SIGNAL TRANSISTOR>
初步
请注意：这不是最终规范
有些参数如有更改。
INC5004AP1
低频AMPLIFY应用
硅NPN外延型
描述
INC5004AP1是硅NPN晶体管。
它被设计成高电压。
外形绘图
4.6最大
1.6
UNIT：½½
1.5
特征
·小包装，便于安装。
· E至B高电压V
EBO
=9V
·低电压VCE （SAT） = 0.28V （类型）
0.8分钟
•高集电极电流
I
CM
=8A
E
C
0.53
最大
B
4.2最大
2.5
0.4
0.48最大
1.5
应用
逆变器，频闪闪光
DC-DC变换器，高电流开关
3.0
マーキング
记号
端子连接器
電極接続
E：发射器
Ｅ: エミッタ
Ｃ: コレクタ
C：收藏家
Ｂ: ベース
B：基本
JEDEC ： -
JEITA ： SC- 62
EIAJ ：SC- 62
JEDEC ： SOT- 89
JEDEC ：
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
V
CBO
V
EBO
V
首席执行官
I
I
C
CM
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流（P
C
=2W)
峰值集电极电流
*1
等级
50
9
20
5
8
500
*2
2
＋150
-55½＋150
单位
V
V
V
A
A
mW
mW
℃
℃
记号
型号名称
B Ĵ
W
LOT №
h
FE
项
P
C
T
j
T
英镑
*1
*2
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
结温
储存温度
单脉冲
Pw=10msec
安装在玻璃陶瓷板（ 46毫米× 19毫米× 0.8毫米）
电气特性（Ta = 25℃）
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
EBO
hFE1
hFE2
V
CE （ SAT ）
fT
COB
参数
C到B击穿电压
E至B击穿电压
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
直流正向电流GAIN1
直流正向电流GAIN2
Ç到E饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
测试条件
I
C
=10μA，I
E
=0A
I
E
=10μA，I
C
=0A
I
C
=1mA，R
BE
=∞
V
CB
=40V，I
E
=0A
V
EB
=7V，I
C
=0A
V
CE
=2V，I
C
=500mA
V
CE
=2V，I
C
=2A
I
C
=3A，I
B
=100mA
V
CE
= 6V ，我
E
=-50mA
V
CE
= 10V ，我
E
= 0A ， F = 1MHz的
范围
民
50
9
20
-
-
230
150
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
0.28
150
-
最大
-
-
-
100
100
600
-
0.8
-
50
单位
V
V
V
nA
nA
-
-
V
兆赫
pF
谏早电子股份有限公司
ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
