INC5002AP1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	INC5002AP1
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内容描述：	对于低频功率放大NPN硅外延 [For low frequency power amplify Silicon NPN Epitaxial]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 136 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

INC5002AP1

对于低频功率扩增

NPN硅外延

TYPICIAL特性

集电极耗散

- 环境温度

正向直流电流增益

与集电极电流

正向直流电流增益hFE

600

集电极耗散PC（毫瓦）

500

400

300

200

100

150

200

环境温度Ta（ ℃ ）

1000

Ta=150℃

VCE=2V

100

Ta=25℃

Ta=-50℃

0.001

0.01

0.1

集电极电流Ic （ A）

共发射极输出

600

集电极电流IC （MA ）

Pcmax=500mW

IB=3.0mA

500

IB=2.5mA

400

300

200

100

IB=0mA

集电极到发射极电压VCE （ V）

基地发射极饱和电压

与集电极电流

1.5

基地发射极饱和

电压VBE （SAT ）（V ）

IC/IB=10

1.2

Ta=-50℃

0.9

0.6

Ta=25℃

0.3

Ta=150℃

0.001

0.01

0.1

IB=2.0mA

IB=1.5mA

IB=1.0mA

IB=0.5mA

Ta=25℃

共发射极转移

集电极电流Ic （ A）

VCE=2V

0.8

0.6

Ta=150℃

0.4

Ta=25℃

0.2

Ta=-50℃

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

基地发射极电压VBE （ V）

集电极到发射极饱和电压

与集电极电流

1000

集电极到发射极饱和

电压VCE （SAT）（MV ）

IC/IB=10

Ta=150℃

100

Ta=25℃

Ta=-50℃

0.001

0.01

0.1

集电极电流Ic （ A）

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