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INA6006AC1 参数 Datasheet PDF下载

INA6006AC1图片预览
型号: INA6006AC1
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内容描述: 低频AMPLIFY申请PNP硅外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 165 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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初步
请注意:这不是最终规范
有些参数如有更改。
INA6006AC1
低频AMPLIFY应用
PNP硅外延型
描述
INA6006AC1是硅PNP晶体管。
它被设计成高电压。
外形绘图
0.65
2.8
1.5
0.65
单位:mm
0.95
0.95
●高电压V
首席执行官
= -150V
·低电压VCE (SAT) = -0.5V ( MAX )
·补充: INC6006AC1
2.8
1.90
·小包装,便于安装。
应用
1.1
0.8
高电压开关。
0.13
0½0.1
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
JEITA : SC- 59
JEDEC :类似TO- 236
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
V
CBO
V
EBO
V
首席执行官
I
I
CM
C
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散( TA = 25 ℃ )
结温
储存温度
等级
-160
-5
-150
-200
-100
200
500(*)
+150
-55½+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
记号
型号名称
P
C
T
j
T
英镑
AHE
*安装在玻璃环氧树脂板( 46毫米× 19毫米×仅1mm)
电气特性(Ta = 25℃)
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CEO
I
CBO
I
EBO
½FE1
½FE2
½FE3
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
VBE (ON)的
fT
COB
参数
C到B击穿电压
E至B击穿电压
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
直流正向电流GAIN1
直流正向电流GAIN2
直流正向电流gain3
Ç到E饱和电压1
Ç到E饱和电压2
B到E饱和电压1
B到E饱和电压2
B至E的电压
增益带宽积
集电极输出电容
测试条件
I
C
=-100μA,I
E
=0mA
I
E
=-10μA,I
C
=0mA
I
C
=-1mA,R
BE
=∞
V
CB
=-120V,I
E
=0mA
V
EB
=-3V,I
C
=0mA
VCE=-5V,I
C
=-1mA
VCE=-5V,I
C
=-10mA
VCE=-5V,I
C
=-50mA
I
C
=-10mA,I
B
=-1mA
I
C
=-50mA,I
B
=-5mA
I
C
=-10mA,I
B
=-1mA
I
C
=-50mA,I
B
=-5mA
VCE=-5V,I
C
=-10mA
VCE=-10V,I
E
=10mA
VCB=-10V,I
E
=0mA,f=1MHz
-160
-5
-150
-
-
45
90
45
-
-
-
-
-
100
-
范围
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.8
0.4
特征
最大
-
-
-
-100
-100
-
270
-
-0.2
-0.5
-1.0
-1.0
-0.77
300
6
单位
V
V
V
nA
nA
-
-
-
V
V
V
V
V
兆赫
pF
谏早电子股份有限公司