INA5001AP1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	INA5001AP1
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	低频AMPLIFY申请PNP硅外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 153 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

\u003c小信号晶体管\u003e

INA5001AP1

低频AMPLIFY应用

PNP硅外延型

TYPICIAL特性

集电极耗散环境的温度

1000

集电极耗散PC（毫瓦）

共发射极输出

-0.6

PcMAX=0.5W

-5.0mA

-4.5mA

-4.0mA

-3.5mA

-3.0mA

-2.5mA

Ta=25℃

集电极电流Ic （ A）

800

-0.4

600

-2.0mA

-1.5mA

-1mA

400

-0.2

IB=-0.5mA

200

120

160

环境温度Ta（ ℃ ）

共发射极转移

-100

VCE=-4V

-0

200

-0

-0.5

-1

-1.5

-2

-2.5

-3

集电极到发射极电压VCE （ V）

正向直流电流增益VS.集电极电流

1000

VCE=-4V

集电极电流IC （MA ）

正向直流电流增益hFE

Ta=85℃

25℃

-40℃

Ta=85℃

-10

25℃

-40℃

100

-1

-0.1

-0

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

基地发射极电压VBE （ V）

-1.2

-0.1

-1

-10

-100

集电极电流IC （MA ）

-1000

集电极电压EMITTERSATURATION

与基极电流

-1.6

Ta=25℃

集电极电压EMITTERSATURATION

与集电极电流

-1000

IC/IB=10

收藏家EMITTERSATURATION

电压Vce （V）的

-1.2

IC=-0.1A

-0.2A

-0.3A

-0.4A

-0.5A

-0.6A

-1

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

-0

-0.1

收藏家EMITTERSATURATION

VOLTAGE 　VCE(sat)　（�½�V)

-1.4

-100

Ta=85℃

25℃

-40℃

-1

-10

基极电流IB （毫安）

-100

-10

-0.1

-1

-10

-100

集电极电流IC （MA ）

-1000

谏早电子股份有限公司

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案