欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

INA5005AC1 参数 Datasheet PDF下载

INA5005AC1图片预览
型号: INA5005AC1
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 高电流驱动应用PNP硅外延型 [FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
分类和应用: 驱动
文件页数/大小: 2 页 / 115 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
 浏览型号INA5005AC1的Datasheet PDF文件第2页  
初步
请注意:这不是最终规范
有些参数如有更改。
INA5005AC1
高电流驱动应用
PNP硅外延型
外形绘图
0.65
描述
INA5005AC1是硅PNP外延型晶体管。
它被设计成高集电极电流和小V
CE ( SAT )
.
2.8
1.5
0.65
单位:mm
0.95
0.95
·高集电极电流(I
C
=-1.5A)
·低集电极饱和电压
(V
CE ( SAT )
<-0.5V
最大
;I
C
=-800mA、I
B
=-80mA)
2.8
1.90
●超小型封装,易于安装
1.1
对于开关,小型电机驱动器
0½0.1
0.8
应用
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
JEITA : SC- 59
JEDEC :类似TO- 236
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
参数
集电极到发射极电压
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散( TA = 25 ℃ )
结温
储存温度
等级
-25
-40
-6
-1.5
200
+150
-55½+150
单位
V
V
V
A
mW
记号
型号名称
P
C
T
j
T
英镑
电气特性(Ta = 25℃)
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
½
FE1
½
FE2
½
FE3
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
COB
参数
C至ê击穿电压
C到B击穿电压
E至B击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
直流正向电流GAIN1
直流正向电流GAIN2
直流正向电流gain3
Ç到E饱和电压
B到E饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
测试条件
I
C
=-1mA,I
B
=0mA
I
C
=-100μA,I
E
=0mA
I
E
=-100μA,I
C
=0mA
V
CB
=-40V,I
E
=0mA
V
EB
=-6V,I
C
=0mA
V
CE
=-1V,I
C
=-5mA
V
CE
=-1V,I
C
=-100mA
V
CE
=-1V,I
C
=-800mA
I
C
=-800mA,I
B
=-80mA
I
C
=-800mA,I
B
=-80mA
V
CE
=-10V,I
E
=50mA,f=100MHz
V
CB
=-10V,f=100MHz
-25
-40
-6
-
-
45
85
40
-
-
100
-
范围
典型值
最大
-
-
-
-
-
-
-
-0.1
-
-0.1
-
-
-
300
-
-
-0.28
-0.5
-0.98
-1.2
270
-
10
-
单位
V
V
V
μA
μA
-
-
-
V
V
兆赫
pF
谏早电子股份有限公司
0.13
ACH
0.4
特征