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    INA5002AC1 参数 Datasheet PDF下载

    INA5002AC1图片预览
    型号： INA5002AC1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低频AMPLIFY申请PNP硅外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 397 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号INA5002AC1的Datasheet PDF文件第2页  
    初步
    请注意：这不是最终规范
    有些参数如有更改。
    INA5002AC1
    低频AMPLIFY应用
    PNP硅外延型
    外形绘图
    0.65
    描述
    INA5002AC1是专为PNP硅外延晶体管
    继电器驱动器或电源中的应用。
    2.8
    1.5
    0.65
    单位：mm
    2.8
    1.90
    0.95 0.95
    ·超
    微型封装，易于安装
    高¡
    电压V
    首席执行官
    =-60V
    高¡
    集电极电流I
    C
    =-3A
    ULOW
    集电极饱和电压
    (V
    CE （ SAT ）
    <-0.6V
    最大
    ；I
    C
    =-3A、I
    B
    =-300mA)
    ①
    ②
    ③
    1.1
    应用
    DC / DC转换器，继电器驱动器，启动子驱动
    0.8
    0½0.1
    端子连接器
    内部BASE
    ② ：辐射源
    --Collector
    JEITA ： SC- 59
    JEDEC ：类似TO- 236
    最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
    符号
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    V
    CBO
    I
    I
    C
    CM
    参数
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极 - 基极电压
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
    结温
    储存温度
    等级
    -80
    -6
    -60
    -3
    -6
    200
    ＋150
    -55½＋150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    ℃
    ℃
    记号
    型号名称
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    电气特性（Ta = 25℃）
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    V
    （ BR ） CEO
    I
    CBO
    I
    EBO
    ½
    ＦＥ
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    COB
    参数
    C到B击穿电压
    E至B击穿电压
    C至ê击穿电压
    收藏家切断电流
    发射器切断电流
    正向直流电流增益
    Ç到E饱和电压
    增益带宽积
    集电极输出电容
    测试条件
    I
    C
    =-100μA，I
    E
    =0mA
    I
    E
    =-100μA，I
    C
    =0mA
    I
    C
    =-1mA，R
    BE
    =∞
    V
    CB
    =-60V，I
    E
    =0mA
    V
    EB
    =-4V，I
    C
    =0mA
    V
    CE
    =-2V，I
    C
    =-0.5A
    I
    C
    =-3A，I
    B
    =-300mA
    V
    CE
    =-5V，I
    E
    =100mA，f=100MHz
    V
    CB
    =-10V，I
    E
    =0mA，f=1MHz
    民
    -80
    -6
    -60
    -
    -
    100
    -
    -
    -
    范围
    典型值
    最大
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -1.0
    -
    -1.0
    -
    300
    -
    -0.5
    150
    -
    25
    -
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    -
    V
    兆赫
    pF
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    0.13
    雅典AEK
    0.4
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