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2SC5807_07 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC5807_07
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内容描述: 硅NPN外延型 [Silicon NPN Epitaxial Type]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 89 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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\u003c晶体管\u003e
2SC5807
选通,直流/直流转换器的应用
硅NPN外延型
电气特性(Ta = 25℃)
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CEO
I
CBO
I
EBO
�½�
FE
V
CE ( SAT )
f
T
COB
参数
C到B击穿电压
E至B击穿电压
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
TestConditions
I
C
=50μA,I
E
=0mA
I
E
=50μA,I
C
=0mA
I
C
=1mA,R
BE
=∞
V
CB
=40V,I
E
=0mA
V
EB
=5V,I
C
=0mA
V
CE
=2V,I
C
=0.5A
I
C
=4A,I
B
=100mA
V
CE
=6V,I
E
=-50mA
V
CB
=20V,I
E
=0mA,f=1MHz
记号
�½�
FE
120至270
120
0.25
150
30
180〜 390
范围
50
6
15
0.5
0.5
390
1.0
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
-
V
兆赫
pF
*采用脉冲电流测量。
* It shows �½�
FE
分类右表。
典型特征
共发射极转移
10
VCE=2V
共发射极输出
5
20mA
Ta=25℃
15mA
25mA
10mA
捕集器电流I
(A)
1
Ta=100℃
捕集器电流I
(A)
4
3
30mA
0.1
25℃
-25℃
2
35mA
5mA
0.01
1
40∼50mA
Pc=2W
IB=0mA
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
基地发射极电压V
BE
(V)
1.6
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
捕集器到发射极电压V
CE
(V)
2
正向直流电流增益
VS.捕集器电流( Ⅲ )
10,000
DC FORWARD CURRENT GAIN �½�
FE
10,000
正向直流电流增益
VS.捕集器电流( Ⅲ )
Ta=25℃
VCE=1V
1,000
VCE=5V
DC FORWARD CURRENT GAIN �½�
FE
1,000
Ta=100℃
2V
100
1V
25℃
100
-25℃
10
0.001
0.01
0.1
1
捕集器电流I
(A)
10
10
0.001
0.01
0.1
1
捕集器电流I
(A)
10
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