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2SC4155_11 参数 Datasheet PDF下载

2SC4155_11图片预览
型号: 2SC4155_11
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内容描述: 低频AMPLIFY应用硅NPN外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 138 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
 浏览型号2SC4155_11的Datasheet PDF文件第2页  
\u003c小信号晶体管\u003e
2SC4155
低频AMPLIFY应用
硅NPN外延型
描述
2SC4155是密封的超小型封装树脂
NPN硅外延晶体管,
它是专为低频电压的应用。
.
0.66
0.34
0.425
2.1
1.25
0.425
外形绘图
Unit:½½
2.1
1.32
0.66
特征
●小集电极到发射极饱和电压。
VCE (SAT) = 0.3V最大
●直流正向增益优秀的线性度。
0.9
●超小型封装,易于安装
应用
对于混合集成电路,小型机器的低频电压
扩大应用。
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
JEITA:SC-70
JEDEC : -
最大额定值
(Ta=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
评级
50
50
6
100
200
+150
-55½+150
单位
V
V
V
mA
mW
记号
H·R
型号名称
项目的hFE
P
C
T
j
T
英镑
电气特性
(Ta=25℃)
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
正向直流电流增益
C至ê饱和Vlotage
增益带宽积
集电极输出电容
※ :它显示的hFE分类在右表
符号
V( BR )
首席执行官
I
CBO
I
EBO
的hFE
的hFE
VCE ( SAT )
fT
COB
I
C
= 100μA ,R
V
V
V
V
CB
EB
BE
0½0.1
测试条件
=∞
0.12
0.7
范围
50
-
-
120
70
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
200
2.0
最大
-
0.5
0.5
560
-
0.3
-
-
单位
V
μA
μA
= 50V ,我
E
=0mA
= 4V ,我
C
=0mA
= 6V ,我
C
=1mA
= 6V ,我
C
=0.1mA
= 6V ,我
E
=-10mA
= 6V ,我
E
=0mA,f=1MHz
CE
CE
I
C
= 30mA时我
B
=1.5mA
V
V
CE
V
兆赫
pF
CB
的hFE
Q
120½270
R
180½390
S
270½560
谏早电子股份有限公司