2SA2167 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA2167
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内容描述：	高电流驱动应用PNP硅外延型 [FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
分类和应用：	驱动
文件页数/大小：	3 页 / 97 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

2SA2167

高电流驱动应用

PNP硅外延型

描述

2SA2167是硅PNP外延型晶体管。

它的设计与高电压，高集电极电流，

高集电极耗散。

外形绘图

4.6MAX

1.6

1.5

单位：mm

●高电压V

首席执行官

=-60V

●高集电极电流I

=-2A

●低集电极到发射极饱和电压

CE （ SAT ）

= 0.5VMax （ @I

=-1A/IB=-50mA）

●高集电极耗散PC = 500mW的

0.8MIN

特征

1.5

3.0

0.53

最大

0.48MAX

0.4

4.2MAX

2.5

记号

マーキング

应用

视听设备，录像机，继电器驱动器

最大额定值（Ta = 25℃）

符号

CBO

EBO

首席执行官

英镑

参数

集电极 - 基极电压

发射器基极电压

集电极到发射极电压

集电极电流

峰值集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

评级

-60

-6

-60

-2

-3

500

150

-55∼150

单位

℃

端子连接器

内部BASE

② ：辐射源

--Collector

JEITA：SC-62

JEDEC：SOT-89

记号

型号名称

A L

LOT号

项目的hFE

电气特性（Ta = 25℃）

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） EBO

（ BR ） CEO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

参数

集电极基拆毁电压

发射器基拆毁电压

集电极到发射极拆毁电压

收藏家切断电流

发射器切断电流

正向直流电流增益

集电极到发射极饱和电压

增益带宽积

集电极输出电容

测试条件

IC=-10uA、IE=0mA

IE=-10uA、IC=0mA

IC=-2mA、RBE=∞

VCB=-50V、IE=0mA

VEB=-4V、IC=0mA

VCE=-4V、IC=-100mA

IC=-1A、IB=-50mA

VCE=-2V、IE=10mA

VCB=10V、IE=0mA、f=1MHz

55∼110

民

-60

-6

-60

范围

典型值

最大

单位

μA

−

兆赫

-0.2

90∼180

-0.2

300

-0.5

记号

150∼300

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