2SA2166_08 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA2166_08
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内容描述：	对于一般用途的高电流驱动应用PNP硅外延型 [FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
分类和应用：	驱动
文件页数/大小：	4 页 / 110 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

2SA2166

对于一般用途的高电流驱动应用

PNP硅外延型

典型特征

集电极耗散VS.

环境温度

300

集电极耗散PC（毫瓦）

250

200

150

100

环境温度Ta（ ℃ ）

正向直流电流增益VS.

集电极电流

10000

-100

IB=-500uA

IB=-400uA

共发射极输出

Ta=25℃

集电极电流IC （MA ）

-80

IB=-300uA

-60

IB=-200uA

-40

IB=-100uA

-20

IB=0uA

-0

150

-0

-2

-4

-6

-8

集电极到发射极电压VCE （ V）

-10

增益带宽积VS.发射极电流

500

正向直流电流增益hFE （ - ）

VCE=-10V

增益带宽积英尺（兆赫）

400

Ta=25℃

VCE=-20V

1000

25℃

85℃

300

200

100

-40℃

100

-0.1

-1

-10

-100

集电极电流IC （MA ）

-1000

100

发射极电流IE （毫安）

1000

共发射极转移

-500

集电极输出电容

COB （PF ）

VCE=-10V

集电极电流IC （MA ）

-400

85℃

100

集电极输出电容与

集电极 - 基极电压

Ta=25℃

IE=0

f=1MHz

-300

-200

25℃

-40℃

-100

-0

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

基地发射极电压VBE （ V）

-1.2

0.1

集电极基极电压VCB （ V）

100

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