2SA2166 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA2166
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内容描述：	对于一般用途的高电流驱动应用PNP硅外延型 [FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
分类和应用：	驱动
文件页数/大小：	4 页 / 148 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

2SA2166

对于一般用途的高电流驱动应用

PNP硅外延型

典型特征

共发射极输出

-150

-140

-130

集电极电流IC [马]

IB=-0.6mA

IB=-0.5mA

IB=-0.4mA

共发射极输出

-150

Ta=-40℃

-140

-130

集电极电流IC [马]

-120

-110

-100

-90

-80

-70

-60

-50

-40

-30

-20

-10

-0

-10

-0

Ta=-25℃

IB=-0.6mA

-120

-110

-100

-90

-80

-70

-60

-50

-40

-30

-20

-10

-0

IB=-0.5mA

IB=-0.4mA

IB=-0.3mA

IB=-0.2mA

IB=-0.1mA

IB=0A

IB=-0.2mA

IB=-0.1mA

IB=0A

-2

-4

-6

-8

集电极到发射极电压Vce [ V]

-2

-4

-6

-8

集电极到发射极电压Vce [ V]

-10

共发射极输出

-150

-140

-130

集电极电流IC [马]

-110

-100

-90

-80

-70

-60

-50

-40

-30

-20

-10

-0

-2

-4

-6

-8

集电极到发射极电压Vce [ V]

-10

IB=0A

IB=-0.1mA

IB=-0.2mA

IB=-0.3mA

共发射极输出

-150

Ta=25℃

IB=-0.6mA

IB=-0.5mA

-140

-130

集电极电流IC [马]

-120

-110

-100

-90

-80

-70

-60

-50

-40

-30

-20

-10

-0

Ta=75℃

IB=-0.6mA

IB=-0.5mA

-120

IB=-0.4mA

IB=-0.3mA

IB=-0.2mA

IB=-0.1mA

IB=0A

-2

-4

-6

-8

集电极到发射极电压Vce [ V]

-10

エミッタ接地出力特性

-150

-140

-130

-120

-110

コレクタ电流IC [马]

-100

-90

-80

-70

-60

-50

-40

-30

-20

-10

-0

-2

-4

-6

-8

コレクタ·エミッタ间电圧VCE [ V]

-10

IB=0A

IB=-0.1mA

IB=-0.2mA

IB=-0.3mA

共发射极转移

-100

IB=-0.4mA

Ta=100℃

IB=-0.6mA

IB=-0.5mA

-90

集电极电流IC [马]

-80

VCE=-10V

Ta=100℃

Ta=75℃

Ta=25℃

-70

-60

-50

-40

-30

-20

-10

-0

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

基地发射极电压VBE [ V]

-1

Ta=-25℃

Ta=-40℃

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20050621

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