2SA1365_10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA1365_10
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内容描述：	高电流驱动应用PNP硅外延型 [FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
分类和应用：	驱动
文件页数/大小：	3 页 / 193 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

\u003c小信号晶体管\u003e

2SA1365

高电流驱动应用

PNP硅外延型

描述

2SA1235是一个超级迷你型硅NPN外延型

晶体管设计具有较高的集电极电流，小的Vce （ sat）的。

互补与2SC3440 。

外形绘图

Unit：½½

特征

●低集电极到发射极饱和电压。

VCE （SAT） = - 0.2V （典型值）

●优良的直流线性度正向电流增益。

·超小型封装，便于安装。

●高集电极电流I

=-1A

●高增益带宽积

FT = 180MHz的典型值

JEITA：SC-59

JEDEC ：类似TO- 236

端子连接器

内部BASE

② ：辐射源

--Collector

注）

无公差的尺寸表示中心值

应用

小型电机驱动器，继电器驱动器，电源供应。

最大额定值

（Ta=25℃）

符号

CBO

EBO

首席执行官

参数

集电极 - 基极电压

发射器基极电压

集电极到发射极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）

结温

储存温度

评级

-25

-4

-20

-1

-700

200

※350

＋125

-55½＋125

单位

℃

英镑

※

安装在基片封装。

型号名称

项目的hFE

电气特性

（Ta=25℃）

参数

C到B击穿电压

E至B击穿电压

C至ê击穿电压

收藏家切断电流

发射器切断电流

正向直流电流增益

C至ê饱和Vlotage

增益带宽积

※ ）它显示在下面的表的hFE分类

记号

的hFE

150至300

250至500

400至800

符号

V（ BR ）

CBO

V（ BR ）

EBO

V（ BR ）

首席执行官

CBO

EBO

的hFE

VCE （ SAT ）

测试条件

= -10μA ，我

= -100μA ，R

范围

民

-25

-4

-20

150

100

典型值

-0.2

180

最大

-1

800

-0.5

单位

μA

=∞

= -25V ，我

= -2V ，我

= -4V ，我

=-100mA

= -6V ，我

=10mA

= -500mA ，我

=-25mA

兆赫

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