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INK0010AM1 参数 Datasheet PDF下载

INK0010AM1图片预览
型号: INK0010AM1
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内容描述: 高速开关硅N沟道MOSFET [High speed switching Silicon N-channel MOSFET]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 4 页 / 133 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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TYPICAL CHARACTERISTICS  
ID -VDS  
ID -VDS(Low voltage region)  
1.75V  
1.8V  
Ta=25℃  
Ta=25℃  
2.8V  
2.7V  
100  
80  
60  
40  
20  
0
1
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
2.6V  
2.5V  
1.7V  
2.4V  
2.3V  
1.65V  
VGS=2.2V  
2.1V  
2.0V  
1.6V  
1.55V  
VGS=1.5V  
1.4V  
1.9V  
1.7V  
0
5
10  
0
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
Drain-Source voltage VDS (V)  
Drain-Source voltage VDS (V)  
IDR -VDS  
ID -VGS  
100  
10  
1
1000  
100  
10  
Ta=25℃  
VGS=0V  
Ta=25℃  
VDS=10V  
1
-0  
-0.5  
-1  
-1.5  
-2  
0
1
2
3
4
5
Drain-Source voltage VDS (V)  
Gate-Source voltage VGS (V)  
|Yfs| - ID  
RDS(on) - ID  
1000  
100  
10  
Ta=25℃  
VDS=10V  
10  
8
Ta=25℃  
6
VGS=4V  
10V  
4
2
0
0
1
50  
100  
150  
200  
1
10  
100  
1000  
Drain currentꢀID (mA)  
Drain current ID (mA)  
C - VDS  
t - ID  
10000  
1000  
100  
10  
100  
10  
1
Ta=25℃  
toff  
tf  
Ciss  
Coss  
ton  
tr  
Ta=25℃  
VGS=0V  
1
0.1  
0.1  
1
10  
100  
0.1  
1
10  
100  
Drain current ID (mA)  
Drain-Source voltage VDS (V)  
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION  
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