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SI4410DYTRPBF 参数 Datasheet PDF下载

SI4410DYTRPBF图片预览
型号: SI4410DYTRPBF
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内容描述: N沟道MOSFET [N-Channel MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
文件页数/大小: 8 页 / 124 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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Si4410DYPbF
0.20
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(Ω)
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(Ω)
0.03
0.16
0.02
0.12
I
D
= 10A
0.01
0.08
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
0.04
0.00
0
10
20
30
40
50
A
0.00
3
4
5
6
7
8
9
10
A
I
D
,漏电流( A)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图12 。
典型导通电阻比。漏
当前
图13 。
典型导通电阻比。门
电压
3.0
1000
E
AS
,单脉冲雪崩能量(兆焦耳)
顶部
800
V
GS ( TH)
,方差( V)
底部
ID
4.5A
8.0A
10A
2.5
600
I
D
=250µA
2.0
400
200
1.5
-60
A
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
25
50
75
100
125
150
T
J
,结温( ° C)
起始物为
J
,结温(
°
C)
图14 。
典型的阈值电压Vs.Temperature
图15 。
最大雪崩能量
与漏电流
6
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