L7833S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	L7833S
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内容描述：	HEXFETPower MOSFET [HEXFETPower MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 266 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

IRL7833/S/L

160

2.5

不限按包

VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）

2.0

120

，漏电流（ A）

1.5

ID = 250μA

1.0

0.5

100

125

150

175

0.0

，外壳温度（ ° C）

-75 -50 -25

75 100 125 150 175

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

阈值电压与温度的关系

thJC

)

D = 0.50

热响应

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.占空比系数D =

2.峰值牛逼

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

/ t

= P

X Z

thJC

0.1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.irf.com

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