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IRLZ34NPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRLZ34NPBF图片预览
型号: IRLZ34NPBF
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
文件页数/大小: 9 页 / 227 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD - 94830
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逻辑电平栅极驱动
先进的工艺技术
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
LEAD -FREE
HEXFET
®
功率MOSFET
D
IRLZ34NPbF
V
DSS
= 55V
G
S
R
DS ( ON)
= 0.035Ω
I
D
= 30A
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,实现了
尽可能低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处,
结合快速开关速度和加固
设备的设计,HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知,为设计者提供了一个非常有效的
装置,用于在各种各样的应用中使用。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平到约50瓦。在低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲

功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
‚
雪崩电流?
重复性雪崩能量?
峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝。
马克斯。
30
21
110
68
0.45
±16
110
16
6.8
5.0
-55〜 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅•在( 1.1N •m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
分钟。
––––
––––
––––
典型值。
––––
0.50
––––
马克斯。
2.2
––––
62
单位
° C / W
11/11/03