IRLMS6802TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRLMS6802TRPBF
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内容描述：	超低导通电阻 [Ultra Low On-Resistance]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
文件页数/大小：	7 页 / 154 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD- 94897

IRLMS6802PbF

HEXFET

功率MOSFET

超低导通电阻

P沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

LEAD -FREE

DSS

= -20V

DS （ ON）

= 0.050Ω

描述

从国际整流器这些P沟道MOSFET

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处

为设计者提供了一个非常有效的装置

在电池和负载管理应用程序使用。

该Micro6 ™封装，其引脚框定制

产生HEXFET

功率MOSFET为R

DS （ ON）

60%

比类似大小的SOT- 23少。这个包是理想的

应用印刷电路板空间受限的

溢价。独特的散热设计和R

DS （ ON）

减少

使近300 ％的电流处理增加

相比于SOT-23 。

顶视图

Micro6ä

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

@ -4.5V

连续漏电流， V

@ -4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量？

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-20

-5.6

-4.5

-45

2.0

1.3

0.016

± 12

-55到+ 150

单位

W / ℃，

°C

热阻

参数

θJA

最大结点到环境

马克斯。

62.5

单位

° C / W

www.irf.com

1/18/05

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