IRLMS1503PBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRLMS1503PBF
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内容描述：	HEXFET㈢功率MOSFET [HEXFET㈢ Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 151 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 95762

IRLMS1503PbF

HEXFET

功率MOSFET

第五代技术

Micro6封装形式

超低

DS （ ON）

N沟道MOSFET

LEAD -FREE

DSS

= 30V

描述

第五代HEXFET

从功率MOSFET

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现极低的导通电阻

每硅片面积。这样做的好处，结合快速

开关速度和坚固耐用的设备的设计，

HEXFET

功率MOSFET是众所周知的，

为设计者提供了一个非常有效和

可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

该Micro6 ™封装，其引脚框定制

产生HEXFET

功率MOSFET为R

DS （ ON）

60 ％不到同样大小的SOT- 23 。这个包是

其中，印刷电路板空间应用的理想选择

是十分宝贵的。它独特的散热设计和R

DS （ ON）

减少使一个电流处理增加

近300 ％相比， SOT -23 。

DS （ ON）

= 0.10Ω

顶视图

Micro6™

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

3.2

2.6

1.7

± 20

5.0

-55到+ 150

单位

毫瓦/°C的

V / ns的

°C

热电阻额定值

θJA

最大结点到环境

参数

分钟。

典型值。

最大

单位

° C / W

www.irf.com

1/14/05

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