IRLML6402TR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRLML6402TR
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 133 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

IRLML6402

100

VGS

顶部

-7.00V

-5.00V

-4.50V

-3.50V

-3.00V

-2.70V

-2.50V

BOTTOM -2.25V

100

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

-7.00V

-5.00V

-4.50V

-3.50V

-3.00V

-2.70V

-2.50V

BOTTOM -2.25V

顶部

-2.25V

0.1

20μs的脉冲宽度

= 25

100

0.1

20μs的脉冲宽度

= 150

100

-V

，漏极至源极电压（ V）

-V

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

= 25

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= -3.7A

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

= 150

1.0

0.5

2.0

V DS = -15V

20μs的脉冲宽度

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

0.0

-60 -40 -20

= -4.5V

80 100 120 140 160

-V

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

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