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IRLML6402 参数 Datasheet PDF下载

IRLML6402图片预览
型号: IRLML6402
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 84 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRLML6402
1000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的,C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + C
DS GD
10
I
D
= -3.7A
V
DS
=-10V
800
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
8
C,电容(pF )
西塞
600
6
400
4
200
科斯
CRSS
2
0
1
10
100
0
0
3
6
测试电路
见图13
9
12
VDS ,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
-I
SD
,反向漏电流( A)
-I
D
,漏电流( A)
I
10us
10
100us
10
T
J
= 150
°
C
1ms
1
10ms
1
T
J
= 25
°
C
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
0.1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
1
10
100
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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