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IRLML6402PBF 参数 Datasheet PDF下载

IRLML6402PBF图片预览
型号: IRLML6402PBF
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 131 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD - 95060A
IRLML6402PbF
HEXFET
®
功率MOSFET
超低导通电阻
l
P沟道MOSFET
l
SOT-23封装足迹
l
薄型( <1.1毫米)
l
可用磁带和卷轴
l
快速开关
l
LEAD -FREE
描述
l
D
V
DSS
= -20V
G
S
R
DS ( ON)
= 0.065Ω
国际整流器这些P沟道MOSFET采用
先进的加工技术,以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。这样做的好处,结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计, HEXFET
®
功率MOSFET是众所周知的,为设计者提供
一个非常有效和可靠的设备电池的使用和
负载管理。
增强型散热垫大的引线框架已被纳入
成标准的SOT-23封装,以产生一个HEXFET功率
MOSFET具有业界最小尺寸。这个包,
被称为MICRO3 ™ ,是非常适合应用在印刷
电路板的空间是十分宝贵的。低调( <1.1毫米)
的MICRO3使得它能够很容易地融入极薄的应用
环境中,例如便携式电子设备和PCMCIA卡。
热阻和功耗的最佳
可用。
Micro3™
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
E
AS
V
GS
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流, V
GS
@ -4.5V
连续漏电流, V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲

功耗
功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量?
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
-20
-3.7
-2.2
-22
1.3
0.8
0.01
11
± 12
-55到+ 150
单位
V
A
W
W / ℃,
mJ
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境?
典型值。
75
马克斯。
100
单位
° C / W
www.irf.com
1
02/15/05