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    IRLML6346PBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRLML6346PBF图片预览
    型号： IRLML6346PBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HEXFET®功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 218 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRLML6346PBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRLML6346PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRLML6346PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRLML6346PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRLML6346PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRLML6346PBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRLML6346PBF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRLML6346PBF的Datasheet PDF文件第9页  
    IRLML6346TRPbF
    电气特性@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    参数
    漏极至源极击穿电压
    分钟。典型值。马克斯。单位
    30
    –––
    –––
    –––
    0.5
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    9.5
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    0.02
    46
    59
    0.8
    –––
    –––
    –––
    –––
    3.9
    –––
    2.9
    0.13
    1.1
    3.3
    4.0
    12
    4.9
    270
    32
    21
    –––
    –––
    63
    80
    1.1
    1.0
    150
    100
    -100
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    pF
    ns
    nC
    V
    条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250μA
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 3.4A
    V
    GS
    = 2.5V ，我
    D
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 10μA
    V
    DS
    =24V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 24V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 125°C
    V
    GS
    = 12V
    V
    GS
    = -12V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 3.4A
    I
    D
    = 3.4A
    V
    DS
    =15V
    V
    DD
    V
    GS
    = 4.5V
    I
    D
    = 1.0A
    V
    （ BR ） DSS
    /T
    J
    击穿电压温度。系数
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    I
    GSS
    R
    G
    政府飞行服务队
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    静态漏 - 源极导通电阻
    栅极阈值电压
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    内部栅极电阻
    正向跨导
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    V / ℃参考至25℃ ，我
    D
    = 1毫安
    m
    V
    μA
    nA
    S
    d
    = 2.7A
    d
    d
    =15V
    d
    R
    G
    = 6.8
    V
    GS
    = 4.5V
    V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 24V
    ƒ = 1.0MHz的
    源 - 漏额定值和特性
    符号
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    参数
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    分钟。典型值。马克斯。单位
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    8.8
    2.7
    1.3
    A
    17
    1.2
    13
    4.1
    V
    ns
    nC
    条件
    MOSFET符号
    展示
    整体反转
    G
    S
    D
    Ù
    p-n结二极管。
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 3.4A ，V
    GS
    = 0V
    T
    J
    = 25 ° C，V
    R
    = 24V ，我
    F
    =1.3A
    的di / dt = 100A / μs的
    d
    d
    2
    www.irf.com

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