PD - 96164
IRLML2803GPbF
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第五代技术
超低导通电阻
N沟道MOSFET
SOT-23封装足迹
薄型（ <1.1毫米）
可用磁带和卷轴
快速开关
LEAD -FREE
无卤
HEXFET
®
功率MOSFET
D
V
DSS
= 30V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.25Ω
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
定制的引线框架已被纳入
标准SOT-23封装，以产生一个HEXFET功率
MOSFET具有业内最小的footprint.This
包，被称为MICRO3 ，是理想的应用
其中，印刷电路板空间非常珍贵。该
在MICRO3的低调（ <1.1毫米），使其能够方便地安装到
如便携式极薄的应用环境
电子和PCMCIA卡。
Micro3™
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
E
AS
dv / dt的
T
J ,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
1.2
0.93
7.3
540
4.3
±20
3.9
5.0
-55到+ 150
单位
A
mW
毫瓦/°C的
V
mJ
V / ns的
°C
c
d
g
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
f
典型值。
–––
马克斯。
230
单位
° C / W
www.irf.com
1
07/23/08
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
