IRLML2402TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRLML2402TRPBF
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内容描述：	HEXFETÂ®功率MOSFET [HEXFETÂ® Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 237 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 94893B

IRLML2402PbF

第五代技术

超低导通电阻

N沟道MOSFET

SOT-23封装足迹

薄型（ <1.1毫米）

可用磁带和卷轴

快速开关

LEAD -FREE

HEXFET

功率MOSFET

DSS

= 20V

DS （ ON）

= 0.25Ω

G 1

3 D

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

定制的引线框架已被纳入

标准SOT-23封装，以产生一个HEXFET功率

MOSFET具有业界最小尺寸。这

包，被称为MICRO3 ，是理想的应用

其中，印刷电路板空间非常珍贵。低

在MICRO3的个人资料（ <1.1毫米），使其能够方便地安装到

如便携式极薄的应用环境

电子和PCMCIA卡。

Micro3™

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 4.5V

连续漏电流， V

@ 4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

1.2

0.95

7.4

540

4.3

± 12

5.0

-55到+ 150

单位

毫瓦/°C的

V / ns的

°C

热阻

θJA

最大结点到环境

参数

典型值。

马克斯。

230

单位

° C / W

www.irf.com

12/14/11

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