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IRLB3036PBF 参数 Datasheet PDF下载

IRLB3036PBF图片预览
型号: IRLB3036PBF
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 285 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRLB3036PbF
1000
10000
在这一领域
限于由R DS ( ON)
1000
100µsec
1msec
100
10
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
10
100
VSD ,源极到漏极电压(V )
VDS ,漏极至源极电压( V)
10msec
DC
ISD ,反向漏电流( A)
100
T J = 175℃
10
T J = 25°C
1
VGS = 0V
0.1
ID ,漏极 - 源极电流(A )
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
V( BR ) DSS ,漏极至源极击穿电压( V)
图8 。
最大安全工作区
75
ID = 5毫安
300
250
ID ,漏电流( A)
不限按包
70
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ,外壳温度( ° C)
65
60
55
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ,温度(° C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
3.0
2.5
2.0
图10 。
漏极至源极击穿电压
1200
EAS ,单脉冲雪崩能量(兆焦耳)
1000
800
600
400
200
0
ID
顶部
27A
50A
BOTTOM 165A
能量( μJ )
1.5
1.0
0.5
0.0
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
25
50
75
100
125
150
175
图11 。
典型的C
OSS
储能
VDS ,漏极至源极电压( V)
开始T J ,结温( ° C)
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
4
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