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IRFP4868PBF 参数 Datasheet PDF下载

IRFP4868PBF图片预览
型号: IRFP4868PBF
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内容描述: 高效率同步整流开关电源 [High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS]
分类和应用: 晶体开关晶体管脉冲局域网
文件页数/大小: 9 页 / 309 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRFP4868PbF
 
 
分钟。典型值。马克斯。
300 ––– –––
––– 0.29 –––
––– 25.5 32
3.0 ––– 5.0
––– –––
20
––– ––– 250
––– ––– 100
––– ––– -100
––– 1.1 –––
 
 
分钟。典型值。马克斯。
80
––– –––
––– 180 270
–––
60
–––
–––
57
–––
––– 123 –––
–––
24
–––
–––
16
–––
–––
62
–––
–––
45
–––
––– 10774 –––
––– 612 –––
––– 193 –––
––– 406 –––
–––
 
710
 
–––
 
 
单位
条件
V V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
V / ℃参考至25℃ ,我
D
= 5mA
毫欧V
GS
= 10V ,我
D
= 42A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
μA V
DS
= 300V, V
GS
= 0V
V
DS
= 300V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V

 
 
单位
条件
s V
DS
= 50V ,我
D
= 42A
NC I
D
= 42A
V
DS
=150V
V
GS
= 10V
I
D
= 42A ,V
DS
=0V, V
GS
= 10V
NS V
DD
= 195V
I
D
= 42A
R
G
= 1.0
V
GS
= 10V
pF的V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
ƒ = 1.0兆赫,参照图五
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至240V
,
参见图。 11
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至240V
静态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
参数
漏极至源极击穿电压
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS ( TH)
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
I
DSS
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
R
G
内部栅极电阻
动态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
参数
政府飞行服务队
正向跨导
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
Q
gd
总栅极电荷同步。 (Q
g
- Q
gd
)
Q
SYNC
导通延迟时间
t
D(上)
t
r
上升时间
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
t
f
下降时间
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
输出电容
反向传输电容
C
RSS
C
OSS
EFF 。 ( ER )的有效输出电容
(能源相关)
C
OSS
EFF 。 ( TR )有效输出电容
(时间相关) 
二极管的特性
符号
参数
连续源电流
I
S
(体二极管)
脉冲源电流
I
SM
(体二极管)
二极管的正向电压
V
SD
dv / dt的
峰值二极管恢复
t
rr
反向恢复时间
Q
rr
I
RRM
t
on
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
I
GSS
 
 
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
––– –––
70
一个MOSFET符号
展示
G
––– ––– 280
一个完整的反
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V T,
J
= 25 ° C,I
S
= 42A ,V
GS
= 0V
--- 7.3 --- V / ns的牛逼
J
= 25 ° C,I
S
= 42A ,V
DS
= 300V
––– 351 –––
NS牛逼
J
= 25°C
V
R
= 255V,
––– 454 –––
T
J
= 125°C
I
F
= 42A
--- 2520 ---数控牛逼
J
= 25°C
的di / dt = 100A / μs的
––– 3686 –––
T
J
= 125°C
–––
16
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的(导通是由主导
LS + LD )
注意事项:
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。
结温。
限制T
JMAX
,起始物为
J
= 25℃时,L = 1.2mH
R
G
= 50, I
AS
= 42A ,V
GS
= 10V 。不属于
推荐使用高于此值。
ISD
42A , di / dt的
1706A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
, T
J
175°C.
脉冲宽度
400μS ;占空比
2%.
2
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科斯EFF 。 (TR)是一个固定的电容,给
同样的充电时间为科斯,而V
DS
is
上升,从0至80 %的V
DSS
.
科斯EFF 。 (ER)是一种固定电容,让
相同的能量的Coss而V
DS
正在崛起
从0到80 %的V
DSS
.
R
测定在T
J
大约90℃。
R
θJC
所示的值是在零时间。
二○一二年十月三十〇日