IRFB3206PBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFB3206PBF
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲PC局域网
文件页数/大小：	11 页 / 431 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

IRF/B/S/SL3206PbF

1000

10000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ISD ，反向漏电流（ A）

100

TJ = 175℃

1000

1msec

100µsec

100

TJ = 25°C

10msec

VGS = 0V

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

0.1

100

VSD ，源极到漏极电压（V ）

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

240

不限按包

200

ID ，漏电流（ A）

V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压

图8 。

最大安全工作区

ID = 5毫安

160

120

100

125

150

175

TC ，外壳温度（ ° C）

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160 180

TJ ，结温（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

2.0

图10 。

漏极至源极击穿电压

800

EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

1.5

600

顶部

21A

33A

底部

75A

能量（ μJ ）

1.0

400

0.5

200

0.0

100

125

150

175

VDS ，漏极至源极电压（ V）

开始TJ ，结温（ ° C）

图11 。

典型的C

OSS

储能

图12 。

最大雪崩能量对比DrainCurrent

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