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    IRF830A 参数 Datasheet PDF下载

    IRF830A图片预览
    型号： IRF830A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 141 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRF830A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF830A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF830A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF830A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF830A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF830A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF830A的Datasheet PDF文件第8页  
    IRF830A
    静态@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    参数
    V
    （ BR ） DSS
    漏极至源极击穿电压
    ∆V
    （ BR ） DSS
    /∆T
    J
    击穿电压温度。系数
    R
    DS （ ON）
    静态漏 - 源极导通电阻
    V
    GS （ TH）
    栅极阈值电压
    I
    DSS
    I
    GSS
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    分钟。
    500
    –––
    –––
    2.0
    –––
    –––
    –––
    –––
    典型值。
    –––
    0.60
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    MAX 。单位
    条件
    –––
    V
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    –––
    V / ℃参考至25℃ ，我
    D
    = 1毫安
    1.4
    Ω
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 3.0A
    „
    4.5
    V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    25
    V
    DS
    = 500V, V
    GS
    = 0V
    µA
    250
    V
    DS
    = 400V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 125°C
    100
    V
    GS
    = 30V
    nA
    -100
    V
    GS
    = -30V
    动态@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    g
    fs
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    C
    OSS
    C
    OSS
    C
    OSS
    EFF 。
    参数
    正向跨导
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    输出电容
    输出电容
    有效输出电容
    分钟。
    2.8
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    典型值。
    –––
    –––
    –––
    –––
    10
    21
    21
    15
    620
    93
    4.3
    886
    27
    39
    MAX 。单位
    条件
    –––
    S
    V
    DS
    = 50V ，我
    D
    = 3.0A
    24
    I
    D
    = 5.0A
    6.3
    NC V
    DS
    = 400V
    11
    V
    GS
    = 10V ，参照图6和13
    „
    –––
    V
    DD
    = 250V
    –––
    I
    D
    = 5.0A
    ns
    –––
    R
    G
    = 14Ω
    –––
    R
    D
    = 49Ω ，参照图10
    „
    –––
    V
    GS
    = 0V
    –––
    V
    DS
    = 25V
    –––
    pF
    ƒ = 1.0MHz的，见图。五
    –––
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 1.0V ， ƒ = 1.0MHz的
    –––
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 400V ， ƒ = 1.0MHz的
    –––
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 0V至400V
    …
    雪崩特性
    参数
    E
    AS
    I
    AR
    E
    AR
    单脉冲雪崩能量？
    雪崩电流？
    重复性雪崩能量？
    典型值。
    –––
    –––
    –––
    马克斯。
    230
    5.0
    7.4
    单位
    mJ
    A
    mJ
    热阻
    参数
    R
    θJC
    R
    θCS
    R
    θJA
    结到外壳
    案件到水槽，平面，脂表面
    结到环境
    参数
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向RecoveryCharge
    向前开启时间
    典型值。
    –––
    0.50
    –––
    马克斯。
    1.7
    –––
    62
    单位
    ° C / W
    二极管的特性
    分钟。典型值。马克斯。单位
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    t
    on
    条件
    D
    MOSFET符号
    5.0
    ––– –––
    展示
    A
    G
    整体反转
    ––– –––
    20
    S
    p-n结二极管。
    ––– ––– 1.5
    V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 5.0A ，V
    GS
    = 0V
    „
    ––– 430 650
    ns
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = 5.0A
    ––– 1.62 2.4
    μC的di / dt = 100A / μs的
    „
    固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
    S
    +L
    D
    )
    2
    www.irf.com

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