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IRF830A 参数 Datasheet PDF下载

IRF830A图片预览
型号: IRF830A
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 141 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF830A
包装外形
TO- 220AB大纲
尺寸以毫米(英寸)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
10.54 (.415)
10.29 (.405)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
-A-
6.47 (.255)
6.10 (.240)
-B-
4.69 (.185)
4.20 (.165)
1.32 (.052)
1.22 (.048)
4
15.24 (.600)
14.84 (.584)
1.15 (.045)
1
2
3
铅作业
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
4 - 漏极
14.09 (.555)
13.47 (.530)
4.06 (.160)
3.55 (.140)
3X
3X
1.40 (.055)
1.15 (.045)
0.93 (.037)
0.69 (.027)
M
B A M
3X
0.55 (.022)
0.46 (.018)
0.36 (.014)
2.54 (.100)
2X
注意事项:
1 DIMENSIONING &公差符合ANSI Y14.5M , 1982年。
2控制尺寸: INCH
2.92 (.115)
2.64 (.104)
3外形。符合JEDEC的外形TO- 220AB 。
4散热片&铅测量不包括毛刺。
最热资讯
TO-220AB
示例:这是一个IRF1010
汇编
批号9B1M
A
国际
整流器器
标志
装配
批号
产品型号
IRF1010
9246
9B 1M
日期代码
( YYWW )
YY =年
WW =周
注意事项:

重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
„
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
…
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容,赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升,从0至80 %的V
DSS
‚
起始物为
J
= 25℃时,L = 18mH
R
G
= 25Ω, I
AS
= 5.0A 。 (参见图12)
ƒ
I
SD
5.0A , di / dt的
370A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
150°C
IR全球总部:
233堪萨斯街El Segundo的加州90245 , USA电话: ( 310 ) 252-7105
IR欧洲区域中心:
445分之439 Godstone酒店路, Whyteleafe ,萨里CR3 OBL ,英国电话: + 44 ( 0 ) 20 8645 8000
IR加拿大:
15林肯苑,宾顿,安大略省L6T3Z2 ,电话: ( 905 ) 453 2200
IR德国:
Saalburgstrasse 157 , 61350巴特洪堡电话: + 49 ( 0 ) 6172 96590
IR意大利:
通过利古里亚49 , 10071保尔格罗,都灵电话: + 39 011 451 0111
IR日本:
。 K&H大厦2楼, 30-4西池袋3丁目,丰岛区,东京171号电话: 81 ( 0 ) 3 3983 0086
IR东南亚:
1金声长廊,世界城西塔, 13-11 ,新加坡237994电话: + 65 ( 0 ) 838 4630
IR台湾: 16
佛罗里达州。 D.套房207秒。 2 ,山楂墩南路,台北, 10673电话: 886- ( 0 ) 2 2377 9936
数据和规格如有变更,恕不另行通知。 3/03
8
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