IRF8308MPbF
IRF8308MTRPbF
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l
PD -97671
符合RoHS标准不含铅和溴化物
V
DSS
V
GS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
薄型（ <0.7毫米）
30V最大± 20V最大1.9mΩ @ 10V 2.7mΩ @ 4.5V
双面冷却兼容
超低封装电感
Q
克TOT
Q
gd
Q
gs2
Q
rr
Q
OSS
V
GS （ TH）
优化高频开关
28nC
8.2nC 3.5nC
34nC
20nC
1.8V
理想的CPU内核的DC -DC转换器
优化同步。同步FET插座。降压转换器？
低传导损耗和开关损耗
兼容现有的表面贴装技术
100 ％通过Rg测试
MX
的DirectFET ？等距
典型值（除非另有规定）
的DirectFET ？功率MOSFET
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
MP
描述
该IRF8308MPbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装实现
最低的通态电阻中，有一个SO-8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接
技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装允许
双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF8308MPbF平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和
开关损耗。降低总损耗使这款产品非常适用于高效率的DC -DC转换器提供动力的最新一代
处理器工作于更高的频率。该IRF8308MPbF已经优化了在同步降压关键参数
其中的Rds（on ） ，栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开启免疫力。该IRF8308MPbF提供特别低的RDS（ON）和高与Cdv / DT
免疫力同步FET应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
8
典型的R DS （ ON） （ MΩ）
马克斯。
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
g
e
e
f
Ãg
h
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
30
±20
27
21
150
212
12
21
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
ID = 21A
VDS = 24V
VDS = 15V
A
mJ
A
ID = 27A
6
4
2
0
2.0
4.0
6.0
8.0
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
10.0
TJ = 125°C
TJ = 25°C
80
注意事项：
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
QG总栅极电荷（ NC）
图2 。
典型的总栅极电荷VS门 - 源极电压
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.051mH中，R
G
= 25Ω, I
AS
= 21A.
www.irf.com
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5/4/11
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
