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IRF820A 参数 Datasheet PDF下载

IRF820A图片预览
型号: IRF820A
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内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON)最大值= 3.0ohm ,ID = 2.5A ) [Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A)]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 101 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF820A
10000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的,C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + Cgd的
ds
20
I
D
= 2.5A
1000
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
V
DS
= 400V
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
15
C,电容(pF )
西塞
100
10
科斯
10
5
CRSS
1
1
10
100
1000
0
0
4
8
测试电路
见图13
12
16
VDS ,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
10
100
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
I
SD
,反向漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
T
J
= 150
°
C
10
10us
1
100us
T
J
= 25
°
C
1
1ms
0.1
0.4
V
GS
= 0 V
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
10ms
1000
10000
V
SD
,源极到漏极电压(V )
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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