IRF7805QPBF_08 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7805QPBF_08
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内容描述：	先进的工艺TechnologyUltra低导通电阻 [Advanced Process TechnologyUltra Low On-Resistance]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 213 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 96114A

IRF7805QPbF

先进的工艺技术

超低导通电阻

N沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

150 ° C工作温度

LEAD -FREE

描述

这些HEXFET

功率MOSFET的封装使用

在最新的加工技术实现

极低的导通电阻每硅片面积。

这些HEXFET功率的附加功能

MOSFET的是150 ° C的结工作

温度，开关速度快，提高了

重复雪崩额定值。这些优势结合起来

使这种设计的一个非常有效和可靠

装置，用于在各种各样的应用中使用。

高效率的SO -8封装提供了增强的

热特性非常适合在各种

电源应用。这种表面贴装的SO -8

大幅减少电路板空间，也可

在磁带&卷轴。

SO-8

设备特点

IRF7805Q

30V

DS （ ON）

11mΩ

31nC

QSW

11.5nC

QOSS

36nC

T O服务P V IE W¯¯

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

@ 10V

马克斯。

± 12

100

2.5

1.6

0.02

-55到+ 150

单位

功耗

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

W / ℃，

°C

线性降额因子

工作结

存储温度范围

热阻

θJL

θJA

结到环境

结到漏极引线

参数

典型值。

–––

马克斯。

单位

° C / W

www.irf.com

08/09/10

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