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    IRF7822TR 参数 Datasheet PDF下载

    IRF7822TR图片预览
    型号： IRF7822TR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8]
    分类和应用： 晶体转换器晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 6 页 / 73 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRF7822TR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF7822TR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7822TR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7822TR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7822TR的Datasheet PDF文件第6页  
    IRF7822
    电气特性
    参数
    漏 - 源
    击穿电压
    静态漏源
    抗性
    栅极阈值电压
    漏源漏
    当前
    BV
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    1.0
    30
    150
    I
    GSS
    Q
    G
    Q
    G
    Q
    GS1
    Q
    GS2
    Q
    GD
    Q
    sw
    Q
    OSS
    R
    G
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    d
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    –
    –
    –
    （关闭）
    民
    30
    典型值
    –
    5.0
    最大
    –
    6.5
    单位
    V
    m
    Ω
    V
    条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 15AR
    V
    DS
    = V
    GS
    ,I
    D
    = 250µA
    V
    DS
    = 24V, V
    GS
    = 0
    V
    DS
    = 24V, V
    GS
    = 0,
    TJ = 100℃
    V
    GS
    = ±12V
    V
    GS
    = 5.0V ，我
    D
    = 15A ，V
    DS
    =16V
    V
    GS
    = 5.0V, V
    DS
    ＆ LT ; 100mV的
    V
    DS
    = 16V ，我
    D
    = 15A
    目前*
    µA
    nA
    栅源漏
    当前
    总闸门变动续FET
    总闸门变动同步FET
    预Vth的
    栅极 - 源电荷
    后Vth的
    栅极 - 源电荷
    栅漏电荷
    切换变动（Q
    gs2
    + Q
    gd
    )
    输出充电
    栅极电阻
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    ±100
    44
    38
    13
    3.0
    9.0
    12
    27
    1.5
    15
    5.5
    22
    12
    5500
    1000
    300
    –
    –
    –
    60
    nC
    V
    DS
    = 16V, V
    GS
    = 0
    Ω
    V
    DD
    = 16V ，我
    D
    = 15A
    ns
    V
    GS
    = 5.0V
    钳位感性负载
    pF
    V
    DS
    = 16V, V
    GS
    = 0
    反向传输电容C
    RSS
    源极 - 漏极评级&特点
    参数
    二极管正向
    电压*
    反向恢复
    ChargeT
    反向恢复
    充电（与并行
    肖特基）T
    V
    SD
    Q
    rr
    Q
    RR （S ）
    120
    民
    典型值
    最大
    1.0
    单位
    V
    nC
    条件
    I
    S
    = 15AR ，V
    GS
    = 0V
    的di / dt
    ~
    700A/µs
    V
    DS
    = 16V, V
    GS
    = 0V时，我
    S
    = 15A
    108
    nC
    的di / dt = 700A / μs的
    （有10BQ040 ）
    V
    DS
    = 16V, V
    GS
    = 0V时，我
    S
    = 15A
    注意事项：
    Q
    重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
    R
    脉冲宽度
    ≤
    400微秒;占空比
    ≤
    2%.
    S
    当安装在1英寸方形铜板
    T
    典型值=测量 - Q
    OSS
    U
    
    的R的典型值
    DS
    （上）在V​​测
    GS
    = 4.5V ，Q
    G
    , Q
    SW
    和Q
    OSS
    测量V
    GS
    = 5.0V ，我
    F
    = 15A.
    2
    www.irf.com

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