欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IRF7821TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF7821TRPBF图片预览
型号: IRF7821TRPBF
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: ?? HEXFET功率MOSFET [HEXFETPower MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 291 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
 浏览型号IRF7821TRPBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF7821TRPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7821TRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7821TRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7821TRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7821TRPBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF7821TRPBF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRF7821TRPBF的Datasheet PDF文件第9页  
IRF7821PbF
10000
VGS ,栅 - 源极电压( V)
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
西塞= C GS + Cgd的,C DS短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
12
ID = 10A
10
8
6
4
2
0
VDS = 24V
VDS = 15V
C,电容(pF )
1000
西塞
科斯
100
CRSS
10
1
10
100
0
5
10
15
20
VDS ,漏极至源极电压( V)
Q g总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100.0
1000
在这一领域
限于由R DS ( ON)
ISD ,反向漏电流( A)
10.0
T J = 150℃
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
10
100µsec
1msec
1.0
T J = 25°C
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
VSD ,源toDrain电压( V)
1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0.1
1.0
10.0
10msec
0.1
100.0
1000.0
VDS ,漏toSource电压(V )
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com