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IRF7416TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF7416TRPBF图片预览
型号: IRF7416TRPBF
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内容描述: ???????? HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 231 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF7416PbF
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
V
( BR ) DSS
漏极至源极击穿电压
ΔV
( BR ) DSS
/ΔT
J
击穿电压温度。系数
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
条件
-30
––– –––
V V
GS
= 0V时,我
D
= -250μA
--- -0.024 --- V / ° C参考到25° C,I
D
= -1mA
V
GS
= -10V ,我
D
= -5.6A
––– ––– 0.020
Ω
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -2.8A
––– ––– 0.035
-1.0 ––– -2.04
V V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
5.6
––– –––
s V
DS
= -10V ,我
D
= -2.8A
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
––– ––– -1.0
μA
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
––– –––
-25
V
GS
= -20V
––– ––– -100
nA
––– ––– 100
V
GS
= 20V
f
f
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
61
8.0
22
18
49
59
60
1700
890
410
92
12
32
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
I
D
= -5.6A
V
DS
= -24V
V
GS
= -10V ,见图。 6 & 9
V
DD
= -15V
I
D
= -5.6A
R
G
= 6.2Ω
R
D
= 2.7Ω ,参照图10
V
GS
= 0V
V
DS
= -25V
ƒ = 1.0MHz的,见图。五
ns
f
pF
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
56
99
-3.1
A
-45
-1.0
85
150
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
Ù
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= -5.6A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= -5.6A
的di / dt = 100A / μs的
e
e
注意事项:

重复评价;脉冲宽度有限的
‚
起始物为
J
= 25℃时,L = 25mH
最大。结温。 (参见图11)
ƒ
I
SD
-5.6A , di / dt的
100A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
150°C
R
G
= 25Ω, I
AS
= -5.6A 。 (参见图12)
„
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
…
表面安装在FR- 4电路板,T
10sec.
2
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