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    IRF7416QPBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRF7416QPBF图片预览
    型号： IRF7416QPBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
    文件页数/大小： 9 页 / 270 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRF7416QPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7416QPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7416QPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7416QPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7416QPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7416QPBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF7416QPBF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRF7416QPBF的Datasheet PDF文件第9页  
    PD - 96124
    IRF7416QPbF
    HEXFET
    ®
    功率MOSFET
    l
    l
    l
    l
    l
    l
    l
    l
    先进的工艺技术
    超低导通电阻
    P沟道MOSFET
    表面贴装
    可在磁带卷&
    150 ° C工作温度
    汽车[ Q101 ]合格
    LEAD -FREE
    S
    1
    2
    3
    4
    8
    7
    A
    D
    D
    D
    D
    S
    S
    G
    V
    DSS
    = -30V
    R
    DS （ ON）
    = 0.02Ω
    6
    5
    顶视图
    描述
    专为汽车应用中，这些
    HEXFET
    ®
    功率MOSFET的封装利用最新
    加工技术，以实现极低的导通
    每硅片面积的阻力。这些附加特征
    汽车合格HEXFET功率MOSFET的是
    150 ℃的结的工作温度，快速开关
    速度和改进的重复雪崩额定值。这些
    利益相结合，使这种设计非常有效的
    而在汽车应用中使用可靠的设备和
    各种各样的其它应用。
    高效率的SO -8封装提供了增强的热
    特性使其成为理想中的各种力量
    应用程序。这种表面安装型SO-8可以大幅
    减少电路板空间，也可
    在磁带&卷轴。
    SO-8
    绝对最大额定值
    参数
    I
    D
    @ T
    A
    = 25°C
    I
    D
    @ T
    A
    = 70°C
    I
    DM
    P
    D
    @T
    A
    = 25°C
    V
    GS
    E
    AS
    dv / dt的
    T
    J,
    T
    英镑
    连续漏电流， V
    GS
    @ -10V
    连续漏电流， V
    GS
    @ - 10V
    漏电流脉冲
    
    功耗
    线性降额因子
    栅极 - 源极电压
    单脉冲雪崩能量？
    峰值二极管恢复的dv / dt
    ƒ
    结温和存储温度范围
    马克斯。
    -10
    -7.1
    -45
    2.5
    0.02
    ± 20
    370
    -5.0
    -55到+ 150
    单位
    A
    W
    毫瓦/°C的
    V
    mJ
    V / ns的
    °C
    热电阻额定值
    参数
    R
    θJA
    最大结点到环境？
    典型值。
    –––
    马克斯。
    50
    单位
    ° C / W
    www.irf.com
    1
    08/29/07

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