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IRF7413TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF7413TRPBF图片预览
型号: IRF7413TRPBF
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内容描述: 快速suitching [fast suitching]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 263 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD - 95017C
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第五代技术
超低导通电阻
N沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
动态的dv / dt额定值
快速开关
100% R
G
经过测试
LEAD -FREE
HEXFET
®
功率MOSFET
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
IRF7413PbF
A
A
D
D
D
D
V
DSS
= 30V
R
DS ( ON)
= 0.011Ω
6
5
顶视图
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处,
结合快速开关速度和加固
设备的设计,HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知,为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置,用于在各种各样的应用中使用。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力,因此非常适合于各种功率
应用程序。有了这些改进,多个设备
可以在应用程序中使用显着地减少
电路板空间。该软件包是专为气相,
红外线或波峰焊技术。功耗
大于0.8W可以在一个典型的印刷电路板安装
应用程序。
SO-8
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
E
AS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大
30
± 20
13
9.2
58
2.5
0.02
260
5.0
-55到+150
单位
V
c
A
W
毫瓦/°C的
mJ
V / ns的
°C
功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩Energency
峰值二极管恢复的dv / dt
d
e
典型值
–––
–––
结温和存储温度范围
热电阻额定值
符号
R
θJL
R
θJA
参数
结到漏极引线
结到环境
最大
20
50
单位
° C / W
g
www.irf.com
1
02/11/08