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IRF7413QPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF7413QPBF图片预览
型号: IRF7413QPBF
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内容描述: HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
文件页数/大小: 9 页 / 258 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PD - 96112
IRF7413QPbF
l
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l
l
HEXFET
®
功率MOSFET
A
A
D
D
D
D
先进的工艺技术
超低导通电阻
N沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
150 ° C工作温度
汽车[ Q101 ]合格
LEAD -FREE
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
V
DSS
= 30V
R
DS ( ON)
= 0.011Ω
6
5
顶视图
描述
专为汽车应用,这些HEXFET
®
功率MOSFET在SO- 8封装利用最新处理
技术,以实现每个硅极低的导通电阻
区。这些汽车合格HEXFET附加功能
功率MOSFET的是一个150 ℃的结的工作温度,
开关速度快和改进的重复雪崩额定值。
这些优势结合起来,使这个设计是非常有效的
和用于在汽车应用和各种用途可靠设备
各种其它应用。
高效率的SO -8封装提供了增强的热
特性使其成为理想中的各种电源应用。
这种表面贴装的SO- 8可显着减少电路板空间
,也可
在磁带&卷轴。
SO-8
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
E
AS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩Energency
峰值二极管恢复的dv / dt
最大
30
± 20
13
9.2
58
2.5
0.02
260
5.0
-55到+150
单位
V
A
W
毫瓦/°C的
mJ
V / ns的
°C
c
e
d
结温和存储温度范围
热电阻额定值
符号
R
θJL
R
θJA
结到漏极引线
结到环境
h
gh
参数
典型值
–––
–––
最大
20
50
单位
° C / W
www.irf.com
1
07/23/07