IRF7404QPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7404QPBF
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET （ VDSS = -20V ， RDS （ ON） = 0.040ヘ） [HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.040ヘ )]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 261 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

IRF7404QPbF

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

（ BR ） DSS

∆V

（ BR ） DSS

/∆T

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

分钟。

-20

-0.70

6.8

TYP 。 MAX 。单位

条件

= 0V ，ID = -250μA

-0.012 --- V / ° C参考到25° C，I

= -1mA

0.040

= -4.5V ，我

= -3.2A

Ω

0.060

= -2.7V ，我

= -2.7A

= V

, I

= -250µA

= -15V ，我

= -3.2A

-1.0

= -16V, V

= 0V

µA

-25

= -16V, V

= 0V ，T

= 125°C

-100

= -12V

100

= 12V

= -3.2A

5.5

NC V

= -16V

= -4.5V ，参照图6和12

= -10V

= -3.2A

100

= 6.0Ω

= 3.1Ω ，参照图10

2.5

4.0

与无铅烙铁头

而中心的模具接触

= 0V

= -15V

ƒ = 1.0MHz的，见图。五

1500

730

340

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

-3.1

-27

-1.0

100

110

µC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= -2.0A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= -3.2A

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

≤

150°C

最大。结温。（参见图11）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

表面安装在FR- 4电路板，T

≤

10sec.

≤

-3.2A ， di / dt的

≤

-65A /微秒，V

≤

（ BR ） DSS

www.irf.com

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