PD - 9.1245B
初步
IRF7403
8
7
HEXFET
®
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
第五代技术
超低导通电阻
N沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
动态的dv / dt额定值
快速开关
S
S
S
G
1
2
A
A
D
D
D
D
V
DSS
= 30V
3
6
4
5
R
DS （ ON）
= 0.022Ω
牛逼的运算V IEW
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工
技术，以实现尽可能低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和加固装置的设计
HEXFET功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个
极其有效的装置，用于在各种各样的应用中使用。
采用SO-8已经通过定制的引线框架，可增强被修改
热特性和多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进，多个设备可被用
有显着减少电路板空间的应用程序。包装设计
为气相，红外，或波峰焊技术。功率耗散
大于0.8W能够在典型的印刷电路板安装的应用程序。
S 0 -8
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
10秒。漏电流脉冲，V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
9.7
8.5
5.4
34
2.5
0.02
±20
5.0
-55到+ 150
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
热电阻额定值
参数
R
θJA
最大结点到环境？
典型值。
–––
马克斯。
50
单位
° C / W
8/25/97
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
