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    IRF7402PBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRF7402PBF图片预览
    型号： IRF7402PBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HEXFET㈢功率MOSFET [HEXFET㈢ Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 184 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRF7402PBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF7402PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7402PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7402PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7402PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7402PBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF7402PBF的Datasheet PDF文件第8页  
    IRF7402PbF
    电气特性@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    参数
    V
    （ BR ） DSS
    漏极至源极击穿电压
    ∆V
    （ BR ） DSS
    /∆T
    J
    击穿电压温度。系数
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    静态漏 - 源极导通电阻
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    分钟。
    20
    –––
    –––
    –––
    0.70
    6.1
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    TYP 。 MAX 。单位
    条件
    ––– –––
    V
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    0.024 --- V / ° C参考到25° C，I
    D
    = 1毫安
    0.035
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 4.1A
    Ω
    0.050
    V
    GS
    = 2.7V ，我
    D
    = 3.5A
    ––– –––
    V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    ––– –––
    S
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 1.9A
    ––– 1.0
    V
    DS
    = 16V, V
    GS
    = 0V
    µA
    ––– 25
    V
    DS
    = 16V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 125°C
    ––– 100
    V
    GS
    = 12V
    nA
    ––– -100
    V
    GS
    = -12V
    14
    22
    I
    D
    = 3.8A
    2.0 3.0
    NC V
    DS
    = 16V
    6.3 9.5
    V
    GS
    = 4.5V ，参照图6和12
    5.1 –––
    V
    DD
    = 10V
    47 –––
    I
    D
    = 3.8A
    ns
    24 –––
    R
    G
    = 6.2Ω
    32 –––
    R
    D
    = 2.6Ω
    650 –––
    V
    GS
    = 0V
    300 –––
    pF
    V
    DS
    = 15V
    150 –––
    ƒ = 1.0MHz的，见图。五
    源极 - 漏极额定值和特性
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    参数
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    分钟。典型值。马克斯。单位
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    51
    69
    2.5
    A
    54
    1.2
    77
    100
    V
    ns
    nC
    条件
    MOSFET符号
    展示
    G
    整体反转
    p-n结二极管。
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 3.8A ，V
    GS
    = 0V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = 3.8A
    的di / dt = 100A / μs的
    D
    S
    注意事项：
    重复评价;脉冲宽度有限的
    最大。结温。 （参见图11）
    I
    SD
    ≤
    3.8A ， di / dt的
    ≤
    96A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    （ BR ） DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    150°C
    脉冲宽度
    ≤
    300μS ;占空比
    ≤
    2%.
    当安装在1平方英寸的铜板， t<10秒
    此数据表具有曲线从IRF7601 &数据
    2
    www.irf.com

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