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    IRF7401 参数 Datasheet PDF下载

    IRF7401图片预览
    型号： IRF7401
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET （ VDSS = 20V ， RDS（ON） = 0.022ohm ） [Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.022ohm)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 121 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRF7401的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7401的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7401的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7401的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7401的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7401的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF7401的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRF7401的Datasheet PDF文件第9页  
    PD - 9.1244C
    IRF7401
    HEXFET
    ®
    功率MOSFET
    l
    l
    l
    l
    l
    l
    l
    第五代技术
    超低导通电阻
    N沟道MOSFET
    表面贴装
    可在磁带卷&
    动态的dv / dt额定值
    快速开关
    S
    S
    S
    G
    1
    8
    7
    A
    A
    D
    D
    D
    D
    2
    V
    DSS
    = 20V
    3
    6
    4
    5
    R
    DS （ ON）
    = 0.022Ω
    T O服务P V IE W¯¯
    描述
    国际整流器第五代HEXFETs
    利用先进的加工技术，实现了
    尽可能低的导通电阻每硅片面积。这
    益处，结合快速开关速度和
    坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
    MOSFET是众所周知的，为设计者提供
    以在很宽的一个非常有效的装置，用于使用
    各种应用程序。
    采用SO-8已经通过定制进行了修改
    引线框架用于增强热性能和
    多模能力使它成为理想的各种
    电源应用。有了这些改进，多
    设备可用于在应用程序中使用显着
    减少了电路板空间。该软件包是专为
    气相，红外，或波峰焊技术。
    大于0.8W的功耗有可能在
    一个典型的印刷电路板安装的应用程序。
    S 0 -8
    绝对最大额定值
    参数
    I
    D
    @ T
    A
    = 25°C
    I
    D
    @ T
    A
    = 25°C
    I
    D
    @ T
    A
    = 70°C
    I
    DM
    P
    D
    @T
    A
    = 25°C
    V
    GS
    dv / dt的
    T
    J,
    T
    英镑
    10秒。漏电流脉冲，V
    GS
    @ 4.5V
    连续漏电流， V
    GS
    @ 4.5V
    连续漏电流， V
    GS
    @ 4.5V
    漏电流脉冲
    
    功耗
    线性降额因子
    栅极 - 源极电压
    峰值二极管恢复的dv / dt
    ‚
    结温和存储温度范围
    马克斯。
    10
    8.7
    7.0
    35
    2.5
    0.02
    ± 12
    5.0
    -55到+ 150
    单位
    A
    W
    W / ℃，
    V
    V / ns的
    °C
    热电阻额定值
    参数
    R
    θJA
    最大结点到环境？
    典型值。
    –––
    马克斯。
    50
    单位
    ° C / W
    02/13/01

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