IRF7303QPBF_10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7303QPBF_10
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内容描述：	HEXFETPOWERMOSET [HEXFETPOWERMOSET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 240 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 96103A

IRF7303QPbF

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

超低导通电阻

双N沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

150 ° C工作温度

LEAD -FREE

DSS

= 30V

DS （ ON）

= 0.050Ω

顶视图

描述

这些HEXFET

功率MOSFET的一个双SO- 8封装

利用最新的处理技术，以实现极

低导通电阻每硅片面积。的附加功能

这些HEXFET功率MOSFET的是150 ° C的结

工作温度，快速开关速度和改进的

重复雪崩额定值。这些好处结合起来

做这个设计的非常有效和可靠的设备

用于在多种应用中使用。

高效率的SO -8封装提供了增强的热

特性和双MOSFET管芯的能力使得它

理想中的各种功率应用。这种双重，表面

安装SO- 8可显着减少电路板空间，并

也可用

在磁带&卷轴。

SO-8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

10秒。漏电流脉冲，V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

5.3

4.9

3.9

2.0

0.016

± 20

5.0

-55到+ 150

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热电阻额定值

参数

θJA

最大结点到环境？

典型值。

马克斯。

62.5

单位

° C / W

www.irf.com

08/02/10

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