IRF7342TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7342TRPBF
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内容描述：	第五代技术 [Generation V Technology]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 164 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 95200

IRF7342PbF

第五代技术

超低导通电阻

双P沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

动态的dv / dt额定值

快速开关

LEAD -FREE

描述

HEXFET

功率MOSFET

DSS

= -55V

DS （ ON）

= 0.105Ω

顶视图

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在各种各样的应用中。

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力使它成为理想的各种

电源应用。有了这些改进，多

设备可用于在应用程序中使用显着

减少了电路板空间。该软件包是专为

气相，红外，或波峰焊技术。

大于0.8W的功耗有可能在

一个典型的印刷电路板安装的应用程序。

SO-8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

GSM

dv / dt的

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

栅 - 源电压单脉冲tp<10μs

单脉冲雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

-55

-3.4

-2.7

-27

2.0

1.3

0.016

± 20

114

5.0

-55到+ 150

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJA

最大结点到环境

典型值。

–––

马克斯。

62.5

单位

° C / W

www.irf.com

10/7/04

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