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    IRF7314TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRF7314TRPBF图片预览
    型号： IRF7314TRPBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 第五代技术 [Generation V Technology]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 201 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRF7314TRPBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF7314TRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7314TRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7314TRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7314TRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7314TRPBF的Datasheet PDF文件第7页  
    IRF7314PbF
    电气特性@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    参数
    V
    （ BR ） DSS
    漏极至源极击穿电压
    ∆V
    （ BR ） DSS
    /∆T
    J
    击穿电压温度。系数
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    静态漏 - 源极导通电阻
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    分钟。
    -20
    –––
    –––
    –––
    -0.70
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    典型值。
    –––
    0.031
    0.049
    0.082
    –––
    5.9
    –––
    –––
    –––
    –––
    19
    4.0
    7.7
    15
    40
    42
    49
    780
    470
    240
    MAX 。单位
    条件
    –––
    V
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = -250µA
    --- V / ° C参考到25° C，I
    D
    = -1mA
    0.058
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    = -2.9A
    „
    Ω
    0.098
    V
    GS
    = -2.7V ，我
    D
    = -1.5A
    „
    –––
    V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = -250µA
    –––
    S
    V
    DS
    = -10V ，我
    D
    = -1.5A
    -1.0
    V
    DS
    = -16V, V
    GS
    = 0V
    µA
    -25
    V
    DS
    = -16V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 55°C
    100
    V
    GS
    = -12V
    nA
    -100
    V
    GS
    = 12V
    29
    I
    D
    = -2.9A
    6.1
    NC V
    DS
    = -16V
    12
    V
    GS
    = -4.5V ，参照图10
    „
    22
    V
    DD
    = -10V
    60
    I
    D
    = -2.9A
    ns
    63
    R
    G
    = 6.0Ω
    73
    R
    D
    = 3.4Ω
    „
    –––
    V
    GS
    = 0V
    –––
    pF
    V
    DS
    = -15V
    –––
    ƒ = 1.0MHz的，见图。五
    源极 - 漏极额定值和特性
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    参数
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向RecoveryCharge
    分钟。典型值。马克斯。单位
    –––
    –––
    –––
    –––
    -2.5
    A
    -21
    V
    ns
    nC
    ––– -0.78 -1.0
    ––– 47
    71
    ––– 49
    73
    条件
    D
    MOSFET符号
    展示
    整体反转
    G
    p-n结二极管。
    S
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = -2.9A ，V
    GS
    = 0V
    ƒ
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = -2.9A
    的di / dt = 100A / μs的
    ƒ
    注意事项：
    
    重复评价;脉冲宽度有限的
    ‚
    起始物为
    J
    = 25℃时，L = 35mH
    R
    G
    = 25Ω, I
    AS
    = -2.9A.
    最大。结温。 （参见图11）
    ƒ
    I
    SD
    ≤
    -2.9A ， di / dt的
    ≤
    -77A /微秒，V
    DD
    ≤
    V
    （ BR ） DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    150°C
    „
    脉冲宽度
    ≤
    300μS ;占空比
    ≤
    2%.
    …
    表面安装在FR- 4电路板，T
    ≤
    10sec.

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