IRF7313QPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7313QPBF
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 238 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

PD - 96125

IRF7313QPbF

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

超低导通电阻

双N沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

150 ° C工作温度

汽车[ Q101 ]合格

LEAD -FREE

DSS

= 30V

DS （ ON）

= 0.029Ω

顶视图

描述

专为汽车应用中，这些

HEXFET

功率MOSFET的一个双SO- 8封装应用

在最新的加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。这些附加特征

汽车合格HEXFET功率MOSFET的是

150 ℃的结的工作温度，快速开关

速度和改进的重复雪崩额定值。这些

利益相结合，使这种设计非常有效的

而在汽车应用中使用可靠的设备和

各种各样的其它应用。

高效率的SO -8封装提供了增强的热

特性和双MOSFET管芯的能力使得它

理想中的各种功率应用。这种双重，表面

安装SO- 8可显着减少电路板空间，并

也可用

在磁带&卷轴。

SO-8

绝对最大额定值（T

= 25 ° C除非另有说明）

符号

dv / dt的

英镑

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

= 25°C

= 70°C

最大

单位

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

= 25°C

最大功率耗散

= 70°C

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

± 20

6.5

5.2

2.5

2.0

1.3

4.0

0.20

5.8

-55到+ 150

V / ns的

°C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

符号

θJA

极限

62.5

单位

° C / W

www.irf.com

09/04/07

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