IRF7303Q 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF7303Q
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内容描述：	[Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 113 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

IRF7303

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

（ BR ） DSS

∆V

（ BR ） DSS

/∆T

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

分钟。

–––

1.0

5.2

–––

TYP 。 MAX 。单位

条件

––– –––

= 0V时，我

= 250µA

0.032 --- V / ° C参考到25° C，I

= 1毫安

––– 0.050

= 10V ，我

= 2.4A

Ω

––– 0.080

= 4.5V ，我

= 2.0A

––– –––

= V

, I

= 250µA

––– –––

= 15V ，我

= 2.4A

––– 1.0

= 24V, V

= 0V

µA

––– 25

= 24V, V

= 0V ，T

= 125 °C

––– 100

= 20V

––– -100

= - 20V

––– 25

= 2.4A

––– 2.9

NC V

= 24V

––– 7.9

= 10V ，参照图6和12

6.8 –––

= 15V

21 –––

= 2.4A

22 –––

= 6.0Ω

7.7 –––

= 6.2Ω ，参照图10

4.0

6.0

520

180

–––

与无铅烙铁头

而中心的模具接触

= 0V

= 25V

ƒ = 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

MOSFET符号

––– ––– 2.5

展示

整体反转

––– ––– 20

p-n结二极管。

––– ––– 1.0

= 25 ° C，I

= 1.8A ，V

= 0V

––– 47

= 25 ° C，I

= 2.4A

––– 56

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

≤

2.4A ， di / dt的

≤

73A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

≤

150°C

表面安装在FR- 4电路板，T

≤

10sec.

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